近日，由园区企业至讯创新完全自主研发的国内首款中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片研制成功，预计将于明年年初全面投放市场，这是国内存储行业的跨越式突破，技术水平已赶超国际一流。
这款全自研、运用先进工艺的中小容量高可靠性19nm 2D NAND闪存芯片产品将覆盖512Mb、1Gb和2Gb容量，提供1.8V和3.3V电压，并采用业界主流串行接口SPI和WSON封装，既可满足消费级产品对可靠性的需求，还可达到工规和车规等高可靠性应用场景对擦写次数和数据保留的要求。通过技术的创新实现了芯片面积缩小40%，I/O速度提升25%，擦写周期提升70%，芯片性能超越国内同类竞品。
至讯创新科技（无锡）有限公司旨在领导存储技术创新，成为全球存储行业的领军者。公司成立于2021年10月，总部位于江苏无锡，在上海、深圳、香港等地均已设立分支机构，完备的营销及服务网络为客户提供快捷、优质的支持。公司汇聚海内外存储业界翘楚，凝聚了一支拥有工程院院士、国家重大人才计划专家、省级海外高层次青年人才等顶尖人才的一流研发团队，专注于中小容量存储芯片的研发，团队可全面覆盖设计、测试、工艺提升等关键环节，且具备完全自主可控的知识产权。
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